带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30V
900mA (Ta)
490 毫欧 @ 200mA, 4.5V
950mV @ 250μA
0.98nC @ 4.5V
65pF @ 25V
360mW
表面贴装
3-XFDFN 裸露焊盘
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
MIC59150YME TR
DSEI2X61-02A
TLC1549IP
NC7SZ175P6X