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PSMN6R3-120ESQ

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：TO-262-3
  • 批号：--
  • 数量：500 - 立即发货
  • 价格：22.120
  • 类型：FET - 单
  • PDF：PSMN6R3-120ESQ

PSMN6R3-120ESQ

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    120V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    70A （Tmb）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    6.7 毫欧 @ 25A， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    207.1nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    11384pF @ 60V

  • 功率 - 最大值

    405W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 120V I2PAK

  • 产品描述备注

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