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RW1A030APT2CR
RW1A030APT2CR
- 厂家:Rohm Semiconductor
- 封装:*
- 批号:--
- 数量:16,000 - 立即发货
- 价格:0.781
- 类型:FET - 单
- PDF:

RW1A030APT2CR
- 包装
*可替代的包装
- 系列
-
- FET 类型
MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss)
12V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
3A (Ta)
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
42 毫欧 @ 3A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
22nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
2700pF @ 6V
- 功率 - 最大值
700mW
- 安装类型
*
- 封装/外壳
*
- 产品简介说明
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
- 产品描述备注