带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
5A (Ta)
28毫欧 @ 4A, 4V
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14.8nC @ 4V
1120pF @ 10V
700mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH TSM S-MOS
MIC59150YME TR
DSEI2X61-02A
TLC1549IP
NC7SZ175P6X