带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
20V
500mA (Ta)
205 毫欧 @ 250mA,4V
1.1V @ 1mA
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174pF @ 10V
400mW
表面贴装
4-SMD,无引线
MOSFET N-CH 20V .5A CST4
MIC59150YME TR
DSEI2X61-02A
TLC1549IP
NC7SZ175P6X